本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

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本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

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本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

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本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件，如电荷耦合器件（CCD）、光电耦合器、图像敏感器（APS）、光敏管等，用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

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本文件规定了通信、测量仪器、雷达系统及消费电子产品等用射频（RF）声表面波（SAW）器件和体声波（BAW）器件（如滤波器、双工器等）的非线性信号的测量方法。
本文件包括非线性的基本特性及测量指南，适用于射频SAW/BAW器件测量系统的建立及相应测量程序的制定。
本文件的目的不是解释理论，也不是试图覆盖实际环境中出现的所有可能情况，是要让用户在为新应用订购射频SAW/BAW器件前注意到某些更基本的问题，以保证用户得到满意的器件性能。

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本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路（FICs和HFICs，以下简称器件）内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

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本文件规定了ESD控制程序的要求，IEC TR 6134052提供了相关的实施指南。本文件适用于对静电敏感度不低于人体模型（HBM）100 V、带电器件模型（CDM ）200 V和孤立导体35 V的电气、电子元件、组件和设备进行的制造、加工、组装、安装、包装、标识、服务、测试、检验、运输以及其他生产活动。处理具有更低静电敏感电压阈值的静电放电敏感产品时，可根据需要增加控制要素或调整限值，仍可视为符合本文件的要求。本文件不适用于电引爆设备、易燃液体、气体和粉体。本文件的目的是为建立、实施和维护ESD控制程序（以下简称“程序”）提供管理和技术要求。注： 孤立导体曾用机器模型（MM）表示。

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本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义，给出了基本额定值和特性，描述了测试方法，用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求，用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

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