【国家标准】硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试　非接触涡流感应法

本网站发布时间： 2024-03-01

GB/T 42907-2023
现行
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标准简介

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适用范围：

本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

基本信息

标准号：
GB/T 42907-2023
标准名称：
硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试　非接触涡流感应法
英文名称：
Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
标准状态：
现行
发布日期：
2023-08-06
实施日期：
2024-03-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
77.040
中标分类号：
H21

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
20 页
字数：
33 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
张雪囡王林王建平李向宇杨阳邓浩刘文明赵子龙郭红强张石晶潘金平李寿琴赵军
起草单位：
TCL中环新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包头)有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司
归口单位：
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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