【国家标准】碳化硅外延层厚度的测试　红外反射法

本网站发布时间： 2025-04-07

GB/T 42905-2023e
现行
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标准简介

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适用范围：

This document describes the infrared reflectance method of thickness of silicon carbide epitaxial layers.
This document is applicable to the thickness test of silicon carbide homoepitaxial layers with dopant concentration of less than 1×10 16 cm -3, which grown on the n-type silicon carbide substrate with dopant concentration of more than 1×10 18 cm-3.The test range is 3 μm-200μm.

基本信息

标准号：
GB/T 42905-2023e
标准名称：
碳化硅外延层厚度的测试　红外反射法
英文名称：
Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layers—Infrared reflectance method
标准状态：
现行
发布日期：
2023-08-06
实施日期：
2024-03-01
出版语种：
英文

标准分类号

标准ICS号：
77.040
中标分类号：
H21

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
16 页
字数：
15 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
起草单位：
归口单位：
SAC/TC 203(National Technical Committee for Standardization of Semiconductor Equipment and Materials) and SAC/TC 203/SC 2(Sub-technical Committee on Materials of the National Technical Committee for Standardization of Semiconductor Equipment and Materials).
提出部门：
SAC/TC 203(National Technical Committee for Standardization of Semiconductor Equipment and Materials) and SAC/TC 203/SC 2(Sub-technical Committee on Materials of the National Technical Committee for Standardization of Semiconductor Equipment and Materials).
发布部门：
State Administration for Market Regulation and Standardization Administration of the People's Republic of China

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