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【国家标准】 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法

本网站 发布时间： 2025-04-01
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适用范围：

本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 44558-2024

  • 标准名称：

    Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法

  • 英文名称：

    Test method for dislocation imaging in Ⅲ-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2024-09-29

  • 实施日期：

    2025-04-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    17 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明

  • 起草单位：

    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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