【国家标准】氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

本网站发布时间： 2023-02-01

开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！查看详情>>

标准简介

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

标准号：
GB/T 41751-2022
标准名称：
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
英文名称：
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
标准状态：
现行
发布日期：
2022-10-12
实施日期：
2023-02-01
出版语种：
中文简体

起草人：
邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇
起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法