【国家标准】硅片表面光泽度的测试方法

本网站发布时间： 2024-03-01

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标准简介

本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。
本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

起草人：
梁兴勃、李琴、张海英、林松青、潘金平、李素青、张雪囡、由佰玲、边永智、庄智慧、沈辉辉、焦二强、韩云霄、徐志群、付明全、詹玉峰、王可胜
起草单位：
浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、天津中环领先材料技术有限公司、山东有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、广东金湾高景太阳能科技有限公司、浙江旭盛电子有限公司、巢湖学院、金瑞泓科技(衢州)有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 硅片表面光泽度的测试方法