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本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/□~3×103 Ω/□。
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本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm,厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
本标准规定了贵金属及其合金电触点材料(静态)接触电阻的测量方法。 本标准适用于贵金属及其合金电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料也可参照使用。
本标准规定了电力机车接触线用铜及铜合金线坯的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于直径18 mm~25 mm、供高速电气化铁路接触材料用铜及铜合金线坯。 本标准也适用于日照时间长、高海拔、高寒、高风速、温差大等特殊环境条件下的高速电气化铁路接触材料用铜及铜合金线坯。
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