本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

本文件规定了电力机车接触材料用铜及铜合金线坯（以下简称“铜线坯”)的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则，以及标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于直径18 mm～34 mm，电气化铁路电力机车接触材料用铜及铜合金线坯。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本文件规定了贵金属电触点材料(静态)接触电阻的测量方法。
本文件适用于贵金属电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料也可参照使用。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法，包括测量原理、仪器设备、测量条件、测量步骤、影响因素等。
本标准中静态四探针法（A法）适用于纳米薄膜、纳米浆料和纳米粉体的电阻率测量；动态四探针法（B法）、动态四线两电极法（C法）适用于纳米粉体电阻率的测量。

定价： 46元 / 折扣价： 40 元 加购物车

本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

定价： 46元 / 折扣价： 40 元 加购物车

本标准规定了冷轧带材板形在线检测接触式板形仪的型式和基本参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。本标准适用于冷轧带材的板形在线检测，其他冷轧生产线的板形检测亦可参照使用。

定价： 43元 / 折扣价： 37 元 加购物车

本标准规定了电气化铁路接触网支柱用热轧H型钢的订货内容、分类与代号、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志及质量证明书。本标准适用于电气化铁路接触网支柱用热轧H型钢（以下简称“H型钢”）。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了金属材料超声接触阻抗法硬度试验的术语和定义、原理、符号及说明、试验设备、试样、试验程序、结果的不确定度、试验报告。本标准适用于金属材料超声接触阻抗法硬度试验，也适用于金属涂层、镀层及硬化层的超声接触阻抗法硬度试验。

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和（或）机械效应引起的硅片翘曲，也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本标准规定了直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

定价： 37元 / 折扣价： 32 元 加购物车

本标准规定了电接触银镍稀土材料的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于制造交、直流接触器、继电器、开关等低压电器、汽车电器及家用电器等所用的电接触银镍稀土材料。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

1.1　本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
1.2　被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。
注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。
1.3　分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

定价： 49元 / 折扣价： 42 元 加购物车