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本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。
本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。

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GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定方法。
本部分适用于金属锗中杂质元素铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌等含量的测定。测定范围：0.005×10-4%～1.00×10-4%。

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本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

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本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。
本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0 μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。

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本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。
本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。

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本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

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本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。

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本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。

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本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

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1.1　本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2　本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3　本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

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1.1　本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2　本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3

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本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。
本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1015 cm-3（0.05 ppma)～2.5×1018 cm-3（50 ppma)。
注： 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。

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