本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。

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1.1　本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2　本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3　本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

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1.1　本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2　本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

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本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

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本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。

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本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。
本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。

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本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

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GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。

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GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中钙含量的测定，测定范围为：0.005 0%～0.55%。

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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

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GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。
本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围：0.1×10-4 %～1.0×10-4 %。

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本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。
本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1015 cm-3（0.05 ppma)～2.5×1018 cm-3（50 ppma)。
注： 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。

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本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3

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本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。
本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。

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