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本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。 本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定,测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。
本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600 μm~3 000 μm的颗粒状多晶硅,其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。
本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法,适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围:1×1014 cm-3~5×1017 cm-3。
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10-3 Ω·cm~3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
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GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为:0.050%~0.75%。
GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中钙含量的测定,测定范围为:0.005 0%~0.55%。
本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量,测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm,外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。
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本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定,测定范围为0.01 ng/g。
本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm~1×102Ω·cm。
本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围: n-GaAs 1.0×10 17 cm -3~1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3~1.0×10 20 cm -3
GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。 本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围:0.1×10-4 %~1.0×10-4 %。
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。
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