【国家标准】硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

本网站发布时间： 2019-06-03

GB/T 1557-2018
现行
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标准简介

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适用范围：

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

基本信息

标准号：
GB/T 1557-2018
标准名称：
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
英文名称：
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
标准状态：
现行
发布日期：
2018-09-17
实施日期：
2019-06-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
77.040
中标分类号：
H17

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
18 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
银波夏进京邱艳梅刘国霞柴欢赵晶晶刘文明姚利忠王海礼邓浩 高明 郑连基陈赫石宇杨旭肖宗杰
起草单位：
新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

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