本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。
本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量（原子数)的测定，测定范围为0.01×1013 cm-3～500×1013 cm-3。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量（原子数）测定范围为0.01×1013 cm－3～5×1015 cm－3。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。
本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。
注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104　Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。
本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围：0.1×10-4 %～1.0×10-4 %。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。
本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1015 cm-3（0.05 ppma)～2.5×1018 cm-3（50 ppma)。
注： 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

定价： 19元 / 折扣价： 17 元 加购物车