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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
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本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围: n-GaAs 1.0×10 17 cm -3~1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3~1.0×10 20 cm -3
GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。 本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围:0.1×10-4 %~1.0×10-4 %。
本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。 本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试,测试范围为2.5×1015 cm-3(0.05 ppma)~2.5×1018 cm-3(50 ppma)。 注: 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。
本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量(原子数)的测定,测定范围为0.01×1013 cm-3~500×1013 cm-3。
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本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量(原子数)测定范围为0.01×1013 cm-3~5×1015 cm-3。
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。
本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定,测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3,元素含量(原子个数百分比)不大于1%。 注:氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。
本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。
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本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。
本标准规定了蓝宝石抛光衬底片表面深度为5 nm以内的残留金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。本标准适用于蓝宝石抛光衬底片表面残留的、在元素周期表中11(Na)~92(U)号(除去铝和氧),且面密度在109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2范围内元素的定量测量。其他用途蓝宝石抛光片表面残留金属元素的测量可参照本标准执行。
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本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围:0.002×10-9~100×10-9。
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