本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

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本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。
本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。
注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

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本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104　Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

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本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3

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本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。

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本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

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本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。

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本标准规定了蓝宝石抛光衬底片表面深度为5 nm以内的残留金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。本标准适用于蓝宝石抛光衬底片表面残留的、在元素周期表中11(Na)～92(U)号（除去铝和氧)，且面密度在109 atoms/cm2～1015 atoms/cm2范围内元素的定量测量。其他用途蓝宝石抛光片表面残留金属元素的测量可参照本标准执行。

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1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本标准同样适用于其他半导体材料如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
1.2 对良好的镜面抛光表面可探测深度约5nm分析深度随表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素尤其适用于测定以下元素：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
1.4 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数无干扰检测限是元素原子序数的函数其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。
1.5 本方法是非破坏性的是对其他测试方法的补充与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。

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本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、钛、锰、镍含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、钛、锰、镍含量的测定，测定范围见表1。

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