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【国家标准】 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

本网站 发布时间： 2016-07-01
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适用范围：

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 17170-2015

  • 标准名称：

    半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

  • 英文名称：

    Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2015-12-10

  • 实施日期：

    2016-07-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    10 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    何秀坤、李静、张雪囡

  • 起草单位：

    信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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