【国家标准】碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定　二次离子质谱法

本网站发布时间： 2022-07-01

GB/T 41153-2021
现行
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标准简介

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适用范围：

本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

基本信息

标准号：
GB/T 41153-2021
标准名称：
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定　二次离子质谱法
英文名称：
Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
标准状态：
现行
发布日期：
2021-12-31
实施日期：
2022-07-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
77.040
中标分类号：
H17

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
8 页
字数：
14 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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