本标准规定了直接法氧化锌白度的检验方法。本标准适用于直接法氧化锌白度的检验。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本文件规定了液态金属密度的测定方法。
本文件适用于在室温至300 ℃范围内进行液态金属密度的测定。在300 ℃以上的熔盐、金属熔体密度测定也可参照使用。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本文件描述了用单筒同轴圆筒旋转法测定液态金属表观黏度的方法。
本文件适用于在室温至200 ℃范围内进行液态金属表观黏度的测定。温度范围根据所使用的仪器进行扩展。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

定价： 43元 / 折扣价： 37 元 加购物车

本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试方法。
本文件适用于采用卷绕法进行锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试。

定价： 36元 / 折扣价： 31 元 加购物车

本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。
本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行，样品浸泡在开放液氮中。

定价： 50元 / 折扣价： 43 元 加购物车

本文件描述了采用图表法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果等级评定。

定价： 56元 / 折扣价： 48 元 加购物车

本文件描述了采用栅格法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果的等级评定。

定价： 28元 / 折扣价： 24 元 加购物车

本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。
本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

This document describes the method of testing the gloss of silicon wafers using the light reflection method under three geometric conditions of 20°, 60°, or 85°.
This document is applicable to the testing of the gloss of etched silicon wafers, polished silicon wafers, and epitaxial silicon wafers, but is not applicable to the testing of silicon wafers with patterned surfaces.

定价： 372元 / 折扣价： 317 元 加购物车

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

定价： 26元 / 折扣价： 23 元 加购物车

本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

定价： 26元 / 折扣价： 23 元 加购物车