本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试方法。
本文件适用于采用卷绕法进行锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试。

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本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。
本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行，样品浸泡在开放液氮中。

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本文件描述了采用图表法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果等级评定。

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本文件描述了采用栅格法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。
本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果的等级评定。

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本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。

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本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。
本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

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This document describes the method of testing the gloss of silicon wafers using the light reflection method under three geometric conditions of 20°, 60°, or 85°.
This document is applicable to the testing of the gloss of etched silicon wafers, polished silicon wafers, and epitaxial silicon wafers, but is not applicable to the testing of silicon wafers with patterned surfaces.

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本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

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本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

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本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

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本文件规定了含润滑剂金属粉末中润滑剂含量的测定方法。该方法也适用于制备样品以测定元素含量，例如石墨和氧，其测定会由于润滑剂的存在而受到干扰。
应用此方法的条件是：用于萃取润滑剂的适宜溶剂已知并易于得到。

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本指导性技术文件规定了测量纳米材料直流磁化率（磁矩）的术语及定义、样品制备及测量、测量仪器、测量步骤和试验报告等。
本指导性技术文件适用于利用电磁感应定律制造的超导量子干涉器磁强计及振动样品磁强计测量纳米材料的直流磁化率（磁矩）。亚微米尺度范围的材料也可参照本标准执行。

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