中国标准在线服务网

微信公众号随时随地查标准

QQ交流1群(已满)

QQ群标准在线咨询2

QQ交流2群

购买标准后,可去我的标准下载或阅读

GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

定价: 36元 / 折扣价: 31 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 现行 发布日期 :  2013-05-09 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试,且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

定价: 43元 / 折扣价: 37 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范 现行 发布日期 :  2019-03-25 实施日期 :  2020-02-01

本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-07-01

本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷,给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。

定价: 86元 / 折扣价: 74 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。
本标准适用于测量直径不小于25 mm,厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

2.1 本标准规定了α角的测量方法,α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 14264-2024 半导体材料术语 现行 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-11-01

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

定价: 124元 / 折扣价: 106 加购物车

在线阅读 收 藏
57 条记录,每页 15 条,当前第 2 / 4 页 第一页 | 上一页 | 下一页 | 最末页  |     转到第   页