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本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2~105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。
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本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
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本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
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本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷,给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
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本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
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本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5 μm~2 μm之间的n型和p型外延层厚度。
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25 mm,厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。 本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征,产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅(晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
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2.1 本标准规定了α角的测量方法,α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2 本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
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