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本文件规定了载物电气运输设备移动性能相关的性能判定和评估方法。
本文件适用于设计预期在公共道路或公共空间用于运送物品的电气运输设备(载物电气运输设备)。载物电气运输设备的典型应用场景包括酒店、餐厅、办公楼、医院、工业/娱乐园区、公共道路等。
本文件不包括安全和性能要求。

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GB/T 46448-2025 信息技术 存储网络 基于以太网的设备发现要求 即将实施 发布日期 :  2025-10-05 实施日期 :  2026-05-01

本文件规定了基于以太网的存储网络中设备发现机制,包括网络组成、流程及接口协议、消息等内容。
本文件适用于基于以太网的存储网络的设计、建设、验收。

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本文件规定了470 MHz/2.4 GHz频段微功率无线非跳频通信协议的要求。
本文件适用于无线传感网微功率非跳频通信设备的设计、开发、测试和使用。

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GB/T 46493.1-2025 物联网 物流园区 第1部分:应用系统通用要求 即将实施 发布日期 :  2025-10-05 实施日期 :  2026-05-01

本文件给出了物流园区物联网应用系统的架构,规定了物流园区物联网应用系统的感知控制设备、应用平台、用户交互、通信网络以及系统安全五个方面的通用要求。
本文件适用于物流园区物联网应用系统的设计、部署、运营管理。

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GB/T 46663-2025 智能制造服务 分类与代码 即将实施 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2026-05-01

本文件描述了智能制造服务的分类方法和编码方法,给出了分类与代码表以及各类服务的说明。
本文件适用于政府机构、社会团体、系统解决方案供应商及制造业企业开展智能制造服务的分类管理和统计。其他组织参考使用。

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GB/T 46686.1-2025 标准知识图谱 第1部分:实现指南 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件提供了标准数据预处理以及标准知识图谱(SKG)构建、应用和更新的指导,给出了SKG本体构建示例和行业应用参考实例。
本文件适用于各类组织进行SKG构建、应用和更新。

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GB/T 46687.1-2025 标准机器语言表达 第1部分:基本架构与要素表达通用要求 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件确立了以机器语言作为表达形式的数字标准的基本架构,规定了标准要素表达的通用要求,包括总体要求、数字标准的基本要素、特征要素、程序要素、辅助要素。
本文件适用于以机器语言作为表达形式的数字标准的形成。

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GB/T 46687.3-2026 标准机器语言表达 第3部分:特征要素表达方法 即将实施 发布日期 :  2026-01-28 实施日期 :  2026-08-01

本文件确立了以机器语言为表达形式的数字标准通用模型中的特征要素模型,规定了特征要素模型表达的通用要求,以及对象、属性、关系和实例化表达的要求。
本文件适用于数字标准特征要素的建模及对象、属性和关系的表达。

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GB/T 46696-2025 永久性阻焊材料规范 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了永久性阻焊材料固化前和固化后的分类、性能要求、质量保证规定、包装、运输和贮存。
本文件适用于液态阻焊剂和阻焊干膜。

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GB/T 46697-2025 电子级八甲基环四硅氧烷 即将实施 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2026-05-01

本文件规定了半导体行业用电子级八甲基环四硅氧烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资料、运输、贮存及安全警告的要求,描述了对应的检测方法。
本文件适用于沉积氧化硅、碳氧掺杂硅、碳化硅等硅基膜的电子级八甲基环四硅氧烷,以其优异的绝缘性和耐高温性在半导体领域用作封装隔离层、集成电路绝缘层和介电层等。

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GB/T 46698-2025 电子级四氯化钛 即将实施 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2026-05-01

本文件规定了电子级四氯化钛产品的技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、安全警告等,描述了对应的试验方法。
本文件适用于电子级四氯化钛。该产品主要用于集成电路制造、前驱体材料合成,电子级二氧化钛、特种光纤、特种合成石英等的制造。

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GB/T 46699-2025 电子级四甲基硅烷 即将实施 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2026-05-01

本文件规定了半导体行业用电子级四甲基硅烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资料、运输、贮存及安全警告的要求,描述了相应的检测方法。
本文件适用于沉积氧化硅、碳化硅等硅基薄膜的电子级四甲基硅烷,作为集成电路的刻蚀硬掩层、介电层等功能层;也适用于高纯电子清洗剂和标准试剂的电子级四甲基硅烷。

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GB/T 46717-2025 半导体器件 金属化空洞应力试验 即将实施 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2026-05-01

本文件描述了铝(Al)或铜(Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。
本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

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GB/T 46788-2025 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如:军用、航天等),在合适的要求或采购文件中规定补充要求。
本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如:方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端),由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。
使用本文件时,同时满足第7章的报告要求。

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本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化,例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

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