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本文件描述了集成电路(IC)对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频(RF)辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。
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本文件描述了具有线性光电响应特性的线阵、面阵和时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器(以下简称器件)参数及其测试方法。本文件适用于具有线性光电响应特性的线阵、面阵和TDI器件参数测试。
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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。
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本文件规定了半导体集成电路驱动器(以下简称器件)的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。
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本文件规定了数字模拟(DA)转换器(以下简称DA转换器或DAC)的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。
本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路(FICs和HFICs,以下简称器件)内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验,从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。
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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。
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本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。
本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。
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本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。
本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。
本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器(以下简称“器件”)电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。
本文件规定了模拟数字(AD)转换器(以下简称AD转换器或ADC)的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。
本文件规定了集成电路用全自动装片机的结构、分类、基本参数、工作条件、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本文件适用于集成电路封装用全自动装片机。
本文件规定了集成电路(IC)制造设备的基本和常用术语,包括基础术语,晶体生长加工设备、掩模制造设备、光刻与刻蚀设备、掺杂设备、薄膜淀积设备、清洗设备、封装设备、检测设备的术语及公用部件术语。 本文件适用于集成电路制造设备的设计开发、生产和应用,也适用于集成电路制造设备的科研、教学和出版工作。
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