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GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本标准描述了有关传感器规范的基本条款,这些条款适用于由半导体材料制造的传感器,也适用于由其他材料(例如绝缘或铁电材料)所制造的传感器。

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GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分:半导体传感器——压力传感器 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。

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GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行 发布日期 :  1999-08-02 实施日期 :  2000-03-01

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GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

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GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

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GB/T 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件规定了一种恒温老化方法,该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行,其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下,该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长,此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬,例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此,对于单个通孔接触下面宽线的结构,通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时,将会瞬间导致开路失效。

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GB/T 45722-2025 半导体器件 恒流电迁移试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

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GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时,必须用这些规范来补充本规范

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GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。

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GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。
本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。
本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

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GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。
为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力,要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。
本试验为破坏性试验,可以用于鉴定、批接收及产品检验。
本试验与IEC 60068-2-20基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系;b)〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

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GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照,并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化,因而被认为是破坏性试验。

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