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【国家标准】 半导体器件　恒流电迁移试验

本网站 发布时间： 2025-06-25
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适用范围：

本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 45722-2025

  • 标准名称：

    半导体器件　恒流电迁移试验

  • 英文名称：

    Semiconductor devices—Constant current electromigration test

  • 标准状态：

    即将实施

  • 发布日期：

    2025-05-30

  • 实施日期：

    2025-09-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01

  • 中标分类号：

    L40

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　恒流电迁移试验》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    15 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    章晓文、林晓玲、游海龙、周斌、尹丽晶、贺致远、来萍、张战刚、雷登云、王铁羊、孟苓辉、陈义强、彭浩、李伟聪、曹建林、崔从俊、林坚耿

  • 起草单位：

    工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市威兆半导体股份有限公司、深圳市诚芯微科技股份有限公司、广东工业大学、中绍宣标准科技集团有限公司、深圳市天成照明有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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