【国家标准】半导体器件　机械和气候试验方法　第17部分：中子辐照

本网站发布时间： 2019-01-02

GB/T 4937.17-2018
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标准简介

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适用范围：

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

基本信息

标准号：
GB/T 4937.17-2018
标准名称：
半导体器件　机械和气候试验方法　第17部分：中子辐照
英文名称：
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 17:Neutron irradiation
标准状态：
现行
发布日期：
2018-09-17
实施日期：
2019-01-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：
L40

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
《半导体器件　机械和气候试验方法　第17部分: 中子辐照》 IDT 等同采用

出版信息

页数：
8 页
字数：
10 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
席善斌、彭浩、陈伟、林东生、杨善潮、金晓明、郭旗、陆妩、崔波、陈海蓉
起草单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所、西北核技术研究所、中国科学院新疆理化技术研究所
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

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