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GB/T 43536.1-2023 三维集成电路 第1部分:术语和定义 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-04-01

本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。
本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

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GB/T 43538-2023 集成电路金属封装外壳质量技术要求 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-07-01

本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。
本文件适用于集成电路金属封装外壳(以下简称“外壳”)的研制、生产、交付和使用。

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GB/T 43940-2024 4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线测试方法 现行 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-08-01

本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。

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GB/T 26112-2010 微机电系统(MEMS)技术 微机械量评定总则 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。
本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。

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GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。

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GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。
本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。

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GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。

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GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法,以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。
本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具,但并不确保相同编码的封装具有互换性。

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GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法 现行 发布日期 :  1996-09-09 实施日期 :  1997-05-01

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GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 38341-2019 微机电系统(MEMS)技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法 现行 发布日期 :  2019-12-31 实施日期 :  2020-04-01

本标准规定了MEMS器件可靠性综合环境的试验方法和失效结果处理。本标准适用于需要进行可靠性试验的MEMS器件。

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GB/T 38447-2020 微机电系统(MEMS)技术 MEMS结构共振疲劳试验方法 现行 发布日期 :  2020-03-06 实施日期 :  2020-07-01

本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法,包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

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