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GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法 现行 发布日期 :  1996-09-09 实施日期 :  1997-05-01

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GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 8976-1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/Z 43510-2023 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-04-01

本文件提供了硅通孔(TSV)三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。
本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

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GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。

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GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。
本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。

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GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。

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本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm~1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。

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GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法,以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。
本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具,但并不确保相同编码的封装具有互换性。

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GB/T 36479-2018 集成电路 焊柱阵列试验方法 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了焊柱阵列(CGA)的试验方法。
本标准适用于采用焊柱阵列(CGA)封装形式的集成电路(以下简称器件),焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。

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GB/T 38341-2019 微机电系统(MEMS)技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法 现行 发布日期 :  2019-12-31 实施日期 :  2020-04-01

本标准规定了MEMS器件可靠性综合环境的试验方法和失效结果处理。本标准适用于需要进行可靠性试验的MEMS器件。

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GB/T 38447-2020 微机电系统(MEMS)技术 MEMS结构共振疲劳试验方法 现行 发布日期 :  2020-03-06 实施日期 :  2020-07-01

本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法,包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

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