本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义，规定了规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。
本文件适用于以高纯石英砂(成分：二氧化硅)为原料，采用电弧熔融法生产，用于半导体单晶硅生长的石英坩埚。

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本文件确立了对半导体集成电路开展硬件木马检测的方法和程序。
本文件适用于自主设计但制造过程非受控的集成电路的硬件木马检测，可用于集成电路的提供者、使用者和第三方评价集成电路产品的安全性。此处第三方是指在集成电路产品交付过程中进行认证和提供鉴定、试验等服务的独立机构。

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本文件规定了半导体器件可靠性强化试验方法，并规定了半导体器件强化试验的一般步骤、相关要求、方法及参数监测等。
本文件适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件的可靠性强化试验指导。

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本文件确立了半导体单晶硅生长用石英坩埚从业人员、生产设备、主要原辅材料、生产工艺、作业环境及产品质量管控的程序和总体原则。
本文件适用于半导体单晶硅生长用石英坩埚的生产过程。

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本文件规定了半导体显示用高碱浓度负胶显影液的缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、标志及包装、运输、贮存和安全事项。本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)彩膜工艺光刻胶的显影。

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本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。
本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。
本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

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本文件规定了半导体制程8英寸（200 mm）12英寸（300 mm）用石英玻璃炉管的术语和定义，分类和产品结构，技术要求，试验方法，检验规则，标志、包装、贮存和运输。本文件适用于半导体扩散工艺制程8英寸（200 mm）12英寸（300 mm）用石英玻璃炉管制品，包含石英外管、石英内管、石英工艺管及石英双层管（以下简称“石英玻璃炉管”），不适用于14 nm及以下半导体制程用石英玻璃炉管。

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.1　本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2　本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3　本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。

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本规程适用于新制的、使用中的及修理后的测温范围从-80℃至+300℃的指针式半导体点温计（以下简称点温计）的检定。

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