- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H17 >>
- GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准号:
GB/T 4298-1984
标准名称:
半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
英文名称:
The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials标准状态:
废止-
发布日期:
1984-03-28 -
实施日期:
1985-03-01 出版语种:
中文简体
- 推荐标准
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42276-2022 氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法
- GB/T 32277-2015 硅的仪器中子活化分析测试方法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程
- GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 37211.2-2018 金属锗化学分析方法 第2部分:铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 37211.3-2022 金属锗化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 37385-2019 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法
- GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
- GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法