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【国家标准】 碳化硅单晶片微管密度测试方法

本网站 发布时间： 2025-08-27
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适用范围：

本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。
本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30868-2025

  • 标准名称：

    碳化硅单晶片微管密度测试方法

  • 英文名称：

    Test method for micropipe density of monocrystalline silicon carbide

  • 标准状态：

    即将实施

  • 发布日期：

    2025-08-01

  • 实施日期：

    2026-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    15 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    姚康、许蓉、佘宗静、何烜坤、王英明、张红岩、齐菲、丁雄杰、李素青、刘小平、欧阳鹏根、潘文宾、晏阳、王志勇、王明华、胡润光、李明达、张超越、孙毅、赵丽丽、赵新田、陈基生

  • 起草单位：

    中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、浙江材孜科技有限公司、连科半导体有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、河南中宜创芯发展有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、宁波合盛新材料有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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