- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- L55 >>
- GB/T 34898-2017 微机电系统(MEMS)技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法
【国家标准】 微机电系统(MEMS)技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法
本网站 发布时间:
2018-05-02
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
文前页下载
适用范围:
本标准规定了谐振式传感器中MEMS谐振敏感元件(以下简称敏感元件)非线性振动特性参数的测试方法。本标准适用于敏感元件在研制和生产过程中关于非线性振动特性和敏感元件闭环系统频率偏移的测试,其他非MEMS敏感元件可参考使用。
标准号:
GB/T 34898-2017
标准名称:
微机电系统(MEMS)技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法
英文名称:
Micro electromechanical system technology—Test method for thenonlinear vibration of the MEMS resonant sensitive element标准状态:
现行-
发布日期:
2017-11-01 -
实施日期:
2018-05-01 出版语种:
中文简体
- 推荐标准
- GB/T 46280.2-2025 芯粒互联接口规范 第2部分:协议层技术要求
- GB/T 42706.4-2025 电子元器件 半导体器件长期贮存 第4部分:贮存
- GB/T 42706.6-2025 电子元器件 半导体器件长期贮存 第6部分:封装或涂覆元器件
- GB/T 46280.1-2025 芯粒互联接口规范 第1部分:总则
- GB/T 46280.3-2025 芯粒互联接口规范 第3部分:数据链路层技术要求
- GB/T 46280.4-2025 芯粒互联接口规范 第4部分:基于2D封装的物理层技术要求
- GB/T 46280.5-2025 芯粒互联接口规范 第5部分:基于2.5D封装的物理层技术要求
- GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
- GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
- GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
- GB/T 43931-2024 宇航用微波集成电路芯片通用规范
- GB/T 43939-2024 宇航用石英挠性加速度计伺服电路通用测试方法
- GB/T 44791-2024 集成电路三维封装 带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求
- GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
- GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
我的标准
购物车
400-168-0010










