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GB/T 8446.1-2022 电力导体器件用散热器 第1部分:散热体 现行 发布日期 :  2022-03-09 实施日期 :  2022-10-01

本文件规定了电力半导体器件用散热体的术语和定义、型式和冷却方式代号、外形尺寸和安装尺寸、技术要求、检验规则以及标志、包装、运输和贮存要求。
本文件适用于电力半导体器件用空气冷却散热体和水冷却散热体。外形尺寸和安装尺寸符合本文件第5章规定的型材散热体也可参照使用。
本文件不适用于热管类散热体。

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GB/T 8446.2-2022 电力导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测量方法 现行 发布日期 :  2022-03-09 实施日期 :  2022-10-01

本文件给出了电力半导体器件用散热体的热阻和流阻的术语和定义以及测量方法。
本文件适用于电力半导体器件用散热体(包括铸造、挤压、型材和热管散热体)的热阻和流阻测量。

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GB/T 8446.3-2022 电力导体器件用散热器 第3部分:绝缘件和紧固件 现行 发布日期 :  2022-03-09 实施日期 :  2022-10-01

本文件规定了电力半导体器件用散热器的绝缘件和紧固件的型号和系列、尺寸、其他技术要求、检验规则以及包装和运输要求。
本文件适用于电力半导体器件用铸造类(包括挤压)散热体的绝缘件和紧固件,也适用于安装尺寸与铸造类(包括挤压)散热体相同的型材散热体和热管散热体的绝缘件和紧固件。

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GB/T 41040-2021 宇航用商业现货(COTS)导体器件 质量保证要求 现行 发布日期 :  2021-12-31 实施日期 :  2022-07-01

本文件规定了宇航用商业现货半导体器件(以下简称COTS器件)的质量保证要求,确立了宇航用COTS器件需求分析、评价试验、破坏性物理分析(DPA)、筛选试验、鉴定试验的具体要求和应用控制要求。
本文件适用于宇航用COTS器件质量保证。
本文件不适用于COTS器件供方的生产过程及质量体系的管理和控制。

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GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法,以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。
本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具,但并不确保相同编码的封装具有互换性。

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GB/T 37312的本部分定义了航空航天、国防及其他高性能应用领域(ADHP)中通用商用货架产品(COTS)集成电路与分立半导体器件的最低要求。
本部分适用于ADHP应用中在公开数据手册规定的额定参数范围内正常工作、并符合IEC TS 62239-1(ECMP)标准的所有器件。本部分也可适用于其他行业采用的高可靠、高性能器件,但需要甄别使用。
除了符合本部分外,还需依据相应的ECMP程序文件,改进设计产品或进一步开展试验以验证其满足ADHP应用要求的适宜性。另外符合IEC TS 62564-1标准的器件也可能更加满足ADHP应用要求。

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IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序,以这种方式使一个参加国家按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
编制详细规范时,将总规范中3.5和分规范中2.3和3.2的内容考虑进去。

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《半导体器件 集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。
本部分的目的是为额定值和特性提供优先值,从总规范中选择合适的试验和测量方法,并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。
优先值的概念直接应用于目录内电路,但是不必应用于定制电路。
参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平,不准许有更低的性能水平。
同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范,每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范,即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定,该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。

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《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊(TAB)作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元,对集成电路(IC)到载带的互连(内引线焊接)没有明确要求。

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GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时,优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.12-2018 导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.13-2018 导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。
本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。
本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

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GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。
为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力,要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。
本试验为破坏性试验,可以用于鉴定、批接收及产品检验。
本试验与IEC 60068-2-20基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.17-2018 导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系;b)〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

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