本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
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本标准规定了非离子表面活性剂中羟值的测定。
本标准适用于脂肪族和脂环族的聚烷氧基化合物的羟值(伯脂肪醇,烷基酚和脂肪酸的环氧乙烷、环氧丙烷及其混合物的加成物的羟值)的测定,适用于羟值在10~1 000的测定。
邻苯二甲酸酐法适用于伯仲脂肪醇、烷基酚和脂肪酸的环氧乙烷、环氧丙烷及其混合物的加成物羟值的测定。
乙酐法适用于伯仲脂肪醇、烷基酚和脂肪酸的环氧乙烷加成物的羟值的测定,不适用于丙氧基化产品的羟值的测定。
近红外法适用于能采用邻苯二甲酸酐法或乙酐法测定羟值的非离子表面活性剂。
产生干扰的物质如下:
——伯和仲胺、酰胺、叔醇、硫醇和环氧化物产生副反应而影响方法的准确度。
——长碳链脂肪族酸和酯会产生比邻苯二甲酸酐乙酐更稳定的酐,而其在测定终了时也不能完全被分解。
——其他的游离酸因与氢氧化钠标准溶液反应而有干扰,碱包括某种叔胺因与生成的邻苯二甲酸、乙酸反应而产生干扰。
环氧化物的存在对测定有干扰,若能用低温真空蒸馏法予以除去,并且不改变羟值,本方法仍适用。上述的处理可以消除浓度(质量分数)高于0.5%产生干扰的游离环氧乙烷。
试样中存在的水分会与邻苯二甲酸酐、乙酐反应,但若遵循测定步骤中所述的措施去预防,本方法仍可适用。
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