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本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
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本文件给出了建筑用钢连接部件及钢构件耐腐蚀性能的测试方法。 本文件适用于建筑用钢连接部件及钢构件在氯离子环境下的腐蚀性能测试。 本文件包括以下两种方法,试验人员可按照实际条件进行选择: ——方法A: 周期喷淋试验方法; ——方法B: 周期性盐雾试验方法。
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本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试方法。 本文件适用于采用卷绕法进行锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试。
本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。
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本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
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本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
本文件规定了用单片测试仪测量电工钢带(片)磁性能的通则和技术细节,包括方法A(电流法)和方法B(磁场线圈法)。
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本文件规定了采用接触式或非接触式测定铝及铝合金电导率的方法。 本文件适用于铝及铝合金材料电导率涡流测试。
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本文件规定了微电子技术用贵金属浆料的可焊性、耐焊性测定方法。 本文件适用于微电子技术用贵金属浆料的可焊性、耐焊性测定。 非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用。
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本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。 本文件适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
本文件规定了镁合金牺牲阳极试样在饱和硫酸钙和氢氧化镁介质中工作时的电化学性能试验方法。本文件适用于以饱和硫酸钙和氢氧化镁试验电解液模拟埋地阳极填充环境下镁合金牺牲阳极(以下简称埋地阳极)电化学性能的测试。淡水中使用的热水器用镁合金牺牲阳极(以下简称热水器阳极)电化学性能的测试可参照使用。
本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜厚度的方法。本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅薄膜和多晶硅薄膜的厚度,也适用于所有光滑的、透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试,如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm~105 nm。
本文件规定了铝合金力学熔点测试方法。本文件适用于铝合金板材或型材的焊接、热处理、铸造、锻压等热加工过程的力学熔点测试及其参数优化。
本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3~8×1016 cm-3,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
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