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本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
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本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。
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本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
1.1 本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2 本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。
本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒(以下简称砷化镓单晶棒)的分类、技术要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。
本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注: 字母数字标志及关联信息存入数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
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本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷,给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
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本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
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本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
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