本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。

定价： 43元 / 折扣价： 37 元 加购物车

本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

定价： 24元 / 折扣价： 21 元 加购物车

本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本标准规定了直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

定价： 37元 / 折扣价： 32 元 加购物车

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

定价： 54元 / 折扣价： 46 元 加购物车

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5 μm～2 μm之间的n型和p型外延层厚度。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

定价： 24元 / 折扣价： 21 元 加购物车

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

定价： 24元 / 折扣价： 21 元 加购物车

本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷，给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。

定价： 90元 / 折扣价： 77 元 加购物车

本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注： 字母数字标志及关联信息存入数据库，可被简单的自动光学字符读数（OCR）仪或人工进行独立、快速识别，确保晶片制造商对晶片标记的一致性。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车