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【国家标准】 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

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适用范围：

本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

读者对象：

GaAs衬底生长的AlGaAs中含量测定相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 24576-2009

  • 标准名称：

    高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

  • 英文名称：

    Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《准则：采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    13 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    章安辉、黄庆涛、何秀坤

  • 起草单位：

    信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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