本文件给出了电力半导体器件用散热体的热阻和流阻的术语和定义以及测量方法。
本文件适用于电力半导体器件用散热体（包括铸造、挤压、型材和热管散热体）的热阻和流阻测量。

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GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时，优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次～10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

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本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。

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本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

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本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

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本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

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GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。
为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。
本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。
本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

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本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

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GB/T 39771的本部分规定了半导体发光二极管(以下简称LED)的光辐射安全要求与危险等级分类方法。
本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300 nm~780 nm)的单芯片或多芯片LED。

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