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国际标准 （0）
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国外标准 （0）
- 全部 ANSI 美国国家标准学会( 0 ) API 美国石油学会( 0 ) AS 澳大利亚标准( 0 ) ASME 美国机械工程协会( 0 ) ASTM 美国材料与试验协会标准( 0 ) BS 英国标准( 0 ) BSI 英国BSI标准( 0 ) CFR 美国联邦法规( 0 ) CSA 加拿大标准( 0 ) DE 德国标准( 0 ) DIN 德国DIN标准( 0 ) EN 欧洲标准( 0 ) FR 法国标准( 0 ) IEEE 美国电气电子工程师协会( 0 ) JP 日本标准( 0 ) JSA 日本JIS标准( 0 ) KS 韩国标准( 0 ) MIL 美国军用标准( 0 ) SAE 美国机动车工程师学会( 0 ) SU 俄罗斯GOST标准( 0 ) UL 美国保险商试验室( 0 ) UNI 意大利标准( 0 )
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本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。
定价： 76元 / 折扣价： 65 元 加购物车
《半导体器件 集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。
本部分的目的是为额定值和特性提供优先值，从总规范中选择合适的试验和测量方法，并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。
优先值的概念直接应用于目录内电路，但是不必应用于定制电路。
参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平，不准许有更低的性能水平。
同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范，每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范，即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定，该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。
定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车
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