GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

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本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。
本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

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1.1　本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2　本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。
开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

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本标准规定了光通信用高速直接调制激光器及其组件的分类和测量方法。
本标准适用于光传送网、光接入网及数据中心等光通信系统中所用高速直接调制激光器及其组件的光电特性测量，模拟光通信系统和其他光系统中所用激光器及其组件的光电特性测量也可参考使用。

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GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。
本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

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本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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