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本标准给出了半导体制造设备（SME）在供应商工厂的最终装配（总装）、包装、运输以及在客户洁净室生产区的拆包和安放等特定活动指南。
本标准适用于半导体制造设备、独立的组件和部件在供应商工厂的最终装配（总装）、包装和运输以及从客户装货码头/接收区到高纯和超高纯应用的洁净室生产区的转移过程。
本标准不包含与环境、健康和安全（EHS）相关的特殊要求，也不适用于与晶片粒子或晶片质量（如离子污染度）相关的加工过程规范。

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本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

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本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时，必须用这些规范来补充本规范

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本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。
开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

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GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC 60068-2-11，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

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本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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本标准规定了下列集成电路（IC）分类体系树（见图1）中有关半定制集成电路子类的标准。 注:这个体系树是不封闭的，可以在需要时拓展。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆，以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

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