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本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。
本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法,以及多种试验前的预处理方法。

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。

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GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。
本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

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本文件规定了焊球阵列(BGA)封装的尺寸测量方法。
本文件规定的测量方法,在符合下述约定条件下,为用户提供尺寸保证:
a) 测量一般采用手工或自动方式进行;
b) 如果某个尺寸不易直接测量,则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。

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GB/T 42706.1-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略,是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

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GB/T 42471-2023 纳米技术 柔性纳米储能器件弯曲测试方法 现行 发布日期 :  2023-03-17 实施日期 :  2023-10-01

本文件描述了柔性纳米储能器件弯曲性能的测试方法。
本文件适用于评估可反复弯曲形变的柔性纳米储能器件的弯曲性能。

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本文件描述了离子束辐照诱导应变技术构建三维纳米结构与器件的加工方法,主要包括加工原理、材料与设备、环境条件、加工方法。本文件适用于离子束辐照诱导直立纳米线和平面纳米薄膜的空间应变,进而实现三维空间中由一维纳米线和二维纳米薄膜构成的三维纳米结构与器件。

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本文件给出了航天器用商业现货(COTS)器件的电离总剂量效应、单粒子效应和位移损伤效应的评估方法。 本文件适用于低轨道(LEO)卫星用COTS器件辐射效应评估。其他轨道航天器用COTS器件可参考使用。

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本文件规定了采用参考模式的视觉保护装置的电敏保护设备(ESPE)的设计、制造和试验要求,描述了敏感功能为使用被动参考模式的电敏保护设备的特殊要求。本文件仅限于ESPE的功能及其与机械连接的方式。基于视觉采用参考模式的电敏保护设备(VBPDPP)由单一的图像敏感装置组成,以被动的参考模式作为背景,检测原理是基于阻塞或部分阻碍模式的视野。检测时不需要有关物体厚度、形状、表面特征或位置的信息。注: 本文件不包含多图像传感器装置。本文件适用于:--基于视觉的自动ESPEs,不要求人介入检测;--基于视觉的自动ESPEs,检测进入或存在于检测区内物体;--检测能力达到200 mm的VBPDPPs。本文件不适用于:--使用辐射波长超出400 nm~1 500 nm的VBPDs。本文件未涉及:--检测区的尺寸或配置及其与任何特定应用的危险部件相关的配置;--任何机械的危险状态;--对受检测物体的复杂分类或区分的要求;--电磁兼容(EMC)发射要求。

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本文件规定了采用立体视觉保护器件的电敏保护设备(ESPE)的设计、制造和试验要求,描述了敏感功能为使用立体视觉技术的电敏保护设备的特殊要求。本文件仅限于ESPE的功能及其与机械连接的方式。检测原理是基于对来自不同观察点(立体视图)的评估图像以确定距离信息。该距离信息用于确定物体的位置。本文件适用于:--基于视觉的ESPEs,其制造期间不同的固定成像装置之间具有固定的距离(立体基座)和方向;--基于视觉的ESPEs,距离敏感装置至检测区的最小距离是立体基座的4倍;--基于视觉的ESPEs,可以检测在图像平面上至少有5个像素直径的物体;--基于视觉的ESPEs,不要求人为干预检测;--基于视觉的ESPEs,检测进入或存在于检测区的物体;--使用波长在400 nm~1 500 nm范围内的辐射的VBPDSTs;--检测能力在200 mm范围内的VBPDSTs。本文件未涉及:--检测区的尺寸或配置及其与任何特定应用的危险部件相关的配置;--任何机械的危险状态;--被检测物体的复杂分类或区分所要求的方面;--移动ESPE装置的方面;--电磁兼容(EMC)发射要求;附加要求和试验可适用于下列情况:--使用多光谱(彩色)技术;--除4.1.2图1所示以外的设置(例如改变背景,光轴相对于地面的水平方向);--预期户外应用。本文件可与保护人体或人体部分如手臂或手指(在14 mm~200 mm范围内)以外的应用相关,例如保护机器或产品免受机械损坏。在这些应用中(例如当敏感功能要识别的材料具有与人不同的特性时),需要额外的要求。

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GB/T 4728.7-2022 电气简图用图形符号 第7部分:开关、控制和保护器件 现行 发布日期 :  2022-10-12 实施日期 :  2023-05-01

图形符号的概念通常理解为“不使用语言,用直观图形来传递信息”。电气简图用图形符号是绘制电气简图必需的国际通用工程语言,对电气领域的国际技术交流有着重要作用。

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GB/T 41742-2022 光电器件用低温封接玻璃 现行 发布日期 :  2022-10-12 实施日期 :  2023-05-01

本文件规定了光电器件用低温封接玻璃的要求、试验方法、检验规则及包装、标识、运输、贮存。本文件适用于光电器件低温封接用的玻璃、玻璃粉及预制件。

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