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【国家标准】 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

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适用范围：

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。

读者对象：

设计、生产、使用、销售硅晶片的企业和质量监督检验机构的技术人员

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 26066-2010

  • 标准名称：

    硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

  • 英文名称：

    Practice for shallow etch pit detection on silicon

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2011-01-10

  • 实施日期：

    2011-10-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    8 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    田素霞、张静雯、王文卫、周涛

  • 起草单位：

    洛阳单晶硅有限责任公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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