- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- L40 >>
- GB/T 46567.1-2025 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分:基础特性
【国家标准】 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分:基础特性
本网站 发布时间:
2025-11-24
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
文前页下载
适用范围:
本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求,描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法,并规定了测试报告要求。
本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。
本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。
标准号:
GB/T 46567.1-2025
标准名称:
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分:基础特性
英文名称:
Intelligent computing—Test method for memristor—Part 1:Basic characteristics标准状态:
现行-
发布日期:
2025-10-31 -
实施日期:
2025-10-31 出版语种:
中文简体
起草人:
时拓、王忠新、刘津畅、何水兵、李磊、刘山佳、王明、钟鑫、施阁、吴逊、许晓欣、闫小兵、王中强、李莹、黄伟、王义楠、张丽静、王斌强、李祎、刘琦、孙文绚、徐海阳、杨彪、张乾、李清江、张九六、张宏巍、杨明、黄旭辉、武晨希、于双铭、孔维生、李鹏飞、黄唯静、王小鹏、黄涛、刘海连、罗联上、陈永祥。起草单位:
之江实验室、浙江大学、上海复旦微电子集团股份有限公司、中移(杭州)信息技术有限公司、中国计量大学、复旦大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、河北大学、东北师范大学、国防科技大学、中国信息通信研究院、浪潮电子信息产业股份有限公司、华中科技大学、太原理工大学、宁波时识科技有限公司、中国科学院半导体研究所、杭州国磊半导体设备有限公司、山西太行实验室有限公司、天翼云科技有限公司、浙江大华技术股份有限公司、北京京瀚禹电子工程技术有限公司、北京万界数据科技有限责任公司、超聚变数字技术有限公司、北京云之印科技有限公司、浙江省物联网产业协会、中国通信工业协会归口单位:
全国智能计算标准化工作组(SAC/SWG 32)提出部门:
全国智能计算标准化工作组(SAC/SWG 32)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
- 推荐标准
- GB/T 46717-2025 半导体器件 金属化空洞应力试验
- GB/T 46788-2025 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求
- GB/T 4937.16-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND)
- GB/T 4937.36-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分:稳态加速度
- GB/T 4937.29-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分:闩锁试验
- GB/T 4937.33-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮
- GB/T 4937.38-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分:带存储的半导体器件的软错误试验方法
- GB/T 4937.44-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法
- GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
- GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
- GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理
- GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘
- GB/T 42709.7-2023 半导体器件 微电子机械器件 第7部分:用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器
- GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
- GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
我的标准
购物车
400-168-0010










