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本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形:
——原子序数从16(S)到92(U)的元素;
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素;
——采用VPD(气相分解)样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素(见3.4)。

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本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。
本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm,其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。

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本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱(SIMS)仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器,但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导,这些参数能使用此程序进行优化,还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。

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GB/T 36401-2018 表面化学分析 X射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-05-01

本标准给出了采用XPS对基材上薄膜的分析报告所需的最少信息量要求的说明。这些分析涉及化学组成和均匀薄膜厚度的测量,以及采用变角XPS、XPS溅射深度剖析、峰形分析和可变光子能量XPS的方式对非均匀薄膜作为深度函数的化学组成的测量。

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GB/T 36052-2018 表面化学分析扫描 探针显微镜数据传输格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2019-02-01

本标准规定了通过并行接口或串行接口经由线缆、局域网、广域网络或其他通信线路将扫描探针显微镜(SPM)数据从计算机传输到计算机的格式。传输的数据采用出现在普通计算机显示器或打印机上的那些字符进行编码。该格式是为SPM的数据设计的,例如扫描隧道显微镜(STM)、原子力显微镜(AFM)和使用在样品表面上扫描的尖锐探针的相关表面分析方法。本格式涵盖了由单通道成像、多通道成像和单点谱得到的数据,在未来版本中可扩展至二维谱成像。

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本标准规定了在俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)中使用惰性气体离子以保证溅射深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清洁效果而采取的离子束对准方法。这些方法分为两类:一类通过法拉第杯测量离子束流,另一类通过成像方法。法拉第杯方法也规定了离子束束流密度和束流分布的测量。这些方法不包括深度分辨率的优化。这些方法均适用于束斑直径小于1 mm的离子枪。

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GB/T 22571-2017 表面化学分析 X射线光电子能谱仪 能量标尺的校准 现行 发布日期 :  2017-09-07 实施日期 :  2018-01-01

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GB/T 33498-2017 表面化学分析 纳米结构材料表征 现行 发布日期 :  2017-02-28 实施日期 :  2018-01-01

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本标准规定了分析者使用X射线光电子能谱(XPS)分析试样后应报告信息的最低要求。包括原始记录和分析记录的信息。

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GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 现行 发布日期 :  2016-12-13 实施日期 :  2017-11-01

本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定,测量范围是本方法的检出限至0.1%(质量分数),检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正,也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

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GB/T 32996-2016 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜 现行 发布日期 :  2016-10-13 实施日期 :  2017-09-01

本标准规定了利用辉光放电发射光谱测定金属氧化物膜厚度、单位面积质量和金属氧化物膜化学组成的方法。本方法适用于测定金属上厚度为1 nm~10 000 nm的氧化物膜,氧化物的金属元素包括铁、铬、镍、铜、钛、硅、钼、锌、镁、锰和铝中的一种或多种。其他可测元素还包括氧、碳、氮、氢、磷和硫。 

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本标准规定了辉光放电发射光谱法测定材料表层薄膜的厚度、质量(单位面积)和化学成分的方法。本标准仅限于辉光放电发射光谱法深度剖析定量化通用规程的描述,并不能直接应用于具有不同厚度和元素的待测个体材料的定量化。注: 任何一个针对测试材料表面分析的标准均需要明确表层厚度和分析元素,并提供实验室间共同实验结果以确认方法的有效性。

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本标准规定了在电子激发绝缘样品的俄歇电子能谱测量中,描述荷电控制方法所需的最少信息,该信息也一并报告在分析结果中。参见附录A提供的现有的AES分析前或分析期间荷电控制的有用方法。表A.1对各种方法和途径进行了总结,并依方法的简单性排列。表A.1中的一些方法对大多数仪器是可用的,一部分则需要特殊的硬件,还有部分可能涉及样品的重装或变动。

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