本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型(MM)测试方法(见IEC 6074927)或IEC 60749(所有部分)中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外,本测试方法为所选方法。
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本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。
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