本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围：室温下从1.0×1015 atoms/cm3到代位碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为4.0×1014 atoms/cm3。

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本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×1014 cm-3～5×1017 cm-3。

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本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

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本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

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本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。
本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。

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本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600 μm～3 000 μm的颗粒状多晶硅，其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。

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本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。
本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。

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GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定方法。
本部分适用于金属锗中杂质元素铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌等含量的测定。测定范围：0.005×10-4%～1.00×10-4%。

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本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

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本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。
本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0 μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。

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本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

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本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。
本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。

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