本文件描述了氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的电感耦合等离子体发射光谱测定方法。
本文件适用于氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定，测定范围为0.001 mg/g~4.00 mg/g。

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本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。

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本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。

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本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

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本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法。
本文件适用于{100}、{110}或{111}晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×103个/cm2~5×107个/cm2的测试。

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本文件描述了碳化硅(SiC)单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。
本文件适用于4H碳化硅(4H-SiC)单晶抛光片堆垛层错的测试。

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本文件描述了蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法。
本文件适用于蓝宝石图形化衬底表面单个图形和图形阵列几何参数的测定。

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本文件描述了用轮廓仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法。
本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试，测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。

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GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。

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GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中钙含量的测定，测定范围为：0.005 0%～0.55%。

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本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

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本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。

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本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。
本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。

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本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600 μm～3 000 μm的颗粒状多晶硅，其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。

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