- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H17 >>
- GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
【国家标准】 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
本网站 发布时间:
2025-12-02
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准号:
GB/T 4326-2025
标准名称:
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
英文名称:
Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient标准状态:
即将实施-
发布日期:
2025-10-31 -
实施日期:
2026-05-01 出版语种:
中文简体
起草人:
林泉、王博、马远飞、李素青、王阳、刘国龙、周铁军、王宇、黄文文、王金灵、刘京明、韩庆辉、赵中阳、胡世鹏、莫杰、朱晨阳起草单位:
有研国晶辉新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导微电子科技有限公司、中国科学院半导体研究所、晶澳太阳能科技股份有限公司、大庆溢泰半导体材料有限公司、深圳大学归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
- 其它标准
- 推荐标准
- GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法
- GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
- GB/T 14849.1-2020 工业硅化学分析方法 第1部分:铁含量的测定
- GB/T 14849.3-2020 工业硅化学分析方法 第3部分:钙含量的测定
- GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
- GB/T 32277-2015 硅的仪器中子活化分析测试方法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
- GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
- GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
我的标准
购物车
400-168-0010










