【国家标准】硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定　电感耦合等离子体质谱法

本网站发布时间： 2025-12-18

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标准简介

本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。

标准号：
GB/T 29056-2025
标准名称：
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定　电感耦合等离子体质谱法
英文名称：
Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-10-31
实施日期：
2026-05-01
出版语种：
中文简体

起草人：
万烨、郭树虎、刘见华、曹俊英、赵培芝、吴作木、宋丹、王春明、魏东亮、李强、冉祎、康俊勤、甘俊、汤艳
起草单位：
洛阳中硅高科技有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、青海南玻新能源科技有限公司、青海丽豪清能股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、湖北江瀚新材料股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法