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【国家标准】 硅片径向电阻率变化测量方法

本网站 发布时间： 2025-12-24
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适用范围：

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 11073-2025

  • 标准名称：

    硅片径向电阻率变化测量方法

  • 英文名称：

    Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers

  • 标准状态：

    即将实施

  • 发布日期：

    2025-10-31

  • 实施日期：

    2026-05-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    12 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    方丽霞、郭可、马武祥、邢胜昌、张志林、寇文杰、王江华、朱晓彤、邓春星、黄笑容、潘金平、李慎重、冯天、尚海波、马金峰

  • 起草单位：

    麦斯克电子材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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