【国家标准】碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法

本网站发布时间： 2026-02-27

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标准简介

本文件描述了碳化硅(SiC)单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。
本文件适用于4H碳化硅(4H-SiC)单晶抛光片堆垛层错的测试。

标准号：
GB/T 47082-2026
标准名称：
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
英文名称：
Test method for stacking faults of polished monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态：
即将实施
发布日期：
2026-01-28
实施日期：
2026-08-01
出版语种：
中文简体

起草人：
张红岩、陈延昌、付健行、杨世兴、宋生、丁雄杰、薛宏伟、胡智威、韩旭、刘红超、马林宝、欧阳鹏根、高冰、佘宗静、潘尧波、胡惠娜、刘小平、陈基生
起草单位：
山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江晶越半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电化合物半导体有限公司、宁夏创盛新材料科技有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、厦门华芯晶圆半导体有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法