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GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)

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GB/T 29827-2013 信息安全技术 可信计算规范 可信平台主板功能接口 现行 发布日期 :  2013-11-12 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了可信平台主板的组成结构、信任链构建流程、功能接口。
本标准适用于基于可信平台控制模块的可信平台主板的设计、生产和使用。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。

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本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

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GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求:--小信号晶体管(开关和微波用除外);--线性功率晶体管(开关、高频和微波用除外);--放大和振荡用高频功率晶体管;--高速开关和电源开关用开关晶体管;--电阻偏置晶体管。

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GB/T 46567.1-2025 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分:基础特性 现行 发布日期 :  2025-10-31 实施日期 :  2025-10-31

本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求,描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法,并规定了测试报告要求。
本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

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GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时,优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

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GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。
本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

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本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰,模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注:除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外,本试验方法与IEC 60749(1996)第4章1.2的试验方法一致。

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