本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。
本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

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This document describes the method of testing the gloss of silicon wafers using the light reflection method under three geometric conditions of 20°, 60°, or 85°.
This document is applicable to the testing of the gloss of etched silicon wafers, polished silicon wafers, and epitaxial silicon wafers, but is not applicable to the testing of silicon wafers with patterned surfaces.

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本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。
本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。

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本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。

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本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。

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2.1　本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2　本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。

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本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

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本标准规定了直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

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1.1　本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2　本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。
本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）翘曲度和波纹度的测试方法。
本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试。

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本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

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