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【国家标准】 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
本网站 发布时间:
2019-04-01
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适用范围:
本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。
本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。
本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。
标准号:
GB/T 37049-2018
标准名称:
电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
英文名称:
Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method标准状态:
现行-
发布日期:
2018-12-28 -
实施日期:
2019-04-01 出版语种:
中文简体
起草人:
鲁文锋、刘晓霞、秦榕、孙燕、赵而敬、王桃霞、赵玉、王忠慧、柳德发、张园园、银波、邱艳梅、刘强起草单位:
江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、有研半导体材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
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